溝道

1.第五章設(shè)計(jì)了全P溝道TFT構(gòu)成的屏上驅(qū)動(dòng)電路，包括反相器、移位寄存器、傳輸門的設(shè)計(jì)，并用仿真軟件進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。

2.提出了近北遠(yuǎn)南、截流溝道、河灘漫流、排口分級(jí)管理的新觀點(diǎn)。

3.本發(fā)明對(duì)底電極的修飾采用溝道半導(dǎo)體材料本身，減小了電極與溝道材料之間的接觸電勢(shì)差。

4.模擬結(jié)果顯示：越細(xì)長(zhǎng)的溝道，器件的短溝效應(yīng)越弱，器件的亞閾值斜率隨柵氧化層增厚而加大。

5.溝道化是斷陷湖盆重力流沉積的一大特色，探討了其有別于經(jīng)典海相重力流相模式的原因。

6.實(shí)驗(yàn)得到的半波長(zhǎng)與理論計(jì)算值在誤差范圍內(nèi)一致，晶面溝道方向的阻止本領(lǐng)略大于隨機(jī)方向的阻止本領(lǐng)。

7.特定來說，在非易失性存儲(chǔ)器裝置經(jīng)歷許多編程循環(huán)時(shí)，電荷變?yōu)榉@在浮動(dòng)?xùn)艠O與溝道區(qū)之間的絕緣體或電介質(zhì)中。

8.這樣在源和漏之間就產(chǎn)生了一個(gè)導(dǎo)電的n型溝道.

9.被排出的漿液通過溝道被送到吸收塔排水坑.

10.最后，模擬研究了“雙溝道”MESFET結(jié)構(gòu)，并根據(jù)模擬仿真的直流輸出特性以及擊穿特性，優(yōu)化了“低溝道”層和“高溝道”層的結(jié)構(gòu)參數(shù)。

11.傳統(tǒng)晶體管使用一個(gè)叫做“柵極”的金屬電極，以控制電子在平面硅基片上的溝道中的流動(dòng)。

12.絕緣柵雙極晶體管。N溝道增強(qiáng)模式，高速開關(guān)。

13.其課題在于，針對(duì)氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，并且不產(chǎn)生短溝道效應(yīng)。

14.經(jīng)分析，是由于金屬柵極的縫隙距離或孔徑過大，勢(shì)壘區(qū)耗盡層遠(yuǎn)小于溝道寬度，柵壓起不到明顯的調(diào)控作用。

15.藉由本發(fā)明可以在維持元件密度的情況下制作較寬的字線，避免短溝道效應(yīng)，提升元件的效能。

16.帶電粒子在晶體中的運(yùn)動(dòng)會(huì)受到溝道效應(yīng)和阻塞效應(yīng)的強(qiáng)烈影響。

17.它還集成了兩個(gè)內(nèi)部低飽和PNP晶體管,措置雙溝道充電性能.

18.基本保留了鳳凰臺(tái)、回水溝與厚慈街的位置,對(duì)十八梯、守備街、花街子、回水溝道路做了進(jìn)一步改善。

19.介紹一種采用電磁鐵驅(qū)動(dòng)的砂輪修整定位機(jī)構(gòu)，用于單溝道軸承磨床改造，實(shí)現(xiàn)軸承套圈雙溝道一次磨削和自動(dòng)磨削。

20.文中通過利用耗盡層阻斷溝道的方法，討論了一種基于RST結(jié)構(gòu)原理實(shí)現(xiàn)“或非”邏輯功能的器件結(jié)構(gòu)。