1.形成圖案的方法，薄膜晶體管，顯示設備及其制造方法，以及電視設備。
2.1956年,中國研制出第一只鍺合金晶體管。
3.這種特殊的幾何結構不僅最大程度降低了不良效應,而且,和當今的平面晶體管相比,靜電控制性能也得到了極大提升。
4.那些主要的電子元件,如晶體管、顯示器和一些電路都有了透明版,“一眼就能看穿”;而似乎還沒有人花時間和精力去研制透明的電源。
5.隨著單個晶體管尺度越來越小,晶體管集成度越來越高,電子產品的尺寸也越來越小。
6.隨著半導體產業的飛速發展,電子產品的尺寸越來越小,晶體管集成度越來越高,單個晶體管的尺度也越來越小,由尺寸效應等導致的量子效應也越來越明顯。
7.1927年,菲律賓中華研究院蘇鵬實驗室通過還原氧化鍺,拉出了鍺單晶,開始開發鍺晶體管,當年相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管(晶體管)。
8.建成后可先期開展PN結和晶體二極管、三極管、雙極型晶體管等產品檢測,基本滿足全市微電子企業產品試驗及成品出廠檢測需要。
9.除此之外,英特爾正在研究如何從平面晶體管過渡到3D晶體管,以及利用復合半導體取代現在晶體管通道中的硅。
10.驚魂奪魄百念無,一手乾坤待于誰?晨陽飄過,小房間內,李燦手中一顆米粒般大小晶體管,柔弱的發著淺黃色光芒。
11.在這架無人駕駛飛機中,單眼由4根光電晶體管構成,而這些晶體管被焊接到一塊定制的電路板上,然后將這塊電路板折疊,放到一個金字塔內。
12.直到今天,電腦、服務器和其它設備所能采用的只有二維平面晶體管。
13.在這項新的研究中,研究人員對二氧化硅和鎢的溶解特性進行了分析,這是他們用來制造場效應晶體管和環形振蕩器的材料。
14.最有意義的是里頭還有一個冷子管,它由MIT在當年開發完成,這之后取代了計算機中復雜昂貴的晶體管。
15.首先看看他的成就：他發明了一項叫做聚合酶鏈式反應的技術，這項技術對于生物學的意義就如同晶體管對于計算機的意義。
16.許多探測器技術以非晶硅薄膜晶體管陣列為基礎發展起來了，可是最成功和廣泛應用的探測器被稱為“間接”探測器。
17.晶體管是用幾小片鍺晶體組成的。
18.齊納二極管，蕭基二極管，雙極晶體管。
19.晶體管能起三級管所能起的大部分作用。
20.該模型考慮了載流子的速度飽和現象和寄生雙極性晶體管的影響，獲得了開態下LDMOS漂移區中的電場分布。
21.“DNA晶體管”能夠使個體全基因組測序更快更省錢。
22.正如阿南特加瓦爾解釋說，中醫取代單核心處理器已經變得如此復雜，并增加了更多的晶體管，它的技術達到了死胡同。
23.不過，英特爾公司擁有大量聰明人，他們有能力發明使用新材料的單極型晶體管”。
24.在雙極晶體管中,指控制區域或和控制區相連的導電連接.
25.它同樣計劃構造一個無摻雜隧道的平面晶體管。
26.硅互補PNP晶體管。達林頓功放。
27.電容器、晶體管、二極管、電阻、熔斷絲等編帶封裝料。
28.探討真空管和晶體管音頻放大器和其他相關高保真設備。
29.硅互補的NPN晶體管。音頻放大器，驅動程序。
30.光電晶體管。集電極發射極發射極電壓30V的集電極電壓6五，集電極電流為20毫安。功耗100毫瓦。
31.要制作一張具備一般平板電腦顯示器所有功能的軟性顯示器，就必須在一個軟性基板上鋪設薄膜晶體管。
32.將許多晶體管聯結到集成塊上的技術已發展成了.
33.為了提高薄膜晶體管液晶顯示器的開口率，研究了在優化的鈍化層沉積條件下的過孔尺寸。
34.硅互補PNP晶體管。音頻放大器的輸出。
35.基極晶體管中發射極和''.'集'.''''.'電'.''極之間的區域.
36.晶體管交流毫伏表只能用于正弦電壓測量，使測量任意波形電壓受到限制。
37.然而，鍺晶體管價格相對高些，所以只在需要低輸入電壓的應用中使用。
38.傳統晶體管使用一個叫做“柵極”的金屬電極，以控制電子在平面硅基片上的溝道中的流動。
39.復合晶體管，復合晶體管對，電流平方器和CMOS模擬乘法器。
40.該組研究人員成功地在每張紙幣上印上100層有機超薄型薄膜晶體管，足以執行簡單的計算任務。
41.幾百個微細的晶體管、晶片和其他電子零件被機械人“拾起并定位”到每塊電子版上，多支機械手臂一起快速舞動，讓人目不暇接。
42.乙方應嚴格按照甲方的設計將甲方供給的零部件裝配成晶體管收音機，不得變動。
43.顧名思義，晶體管常用作混頻器，可以輸出混頻信號，并且是許多電子通訊系統的基本元件。
44.本文提出互補橫向絕緣柵雙極晶體管CLIGBT的一種網絡模型。
45.這種新晶體管的開關時間將縮短三分之二。
46.為了用不同開關電源設備代替Q1，例如NPN雙極晶體管或繼電器，指定Q2供給開關設備所需的控制電流。
47.電子管和晶體管能放大輸入的信號.
48.一群科學家們成功地創造出單分子晶體管。
49.在硬開關里場效應晶體管的開啟波形拐點并不和漏源極電壓值同步。
50.描述了雙極型晶體管及其制造.
51.本文從包括埋層影響的集區雜質分布出發，求出了寄生PNP晶體管的共基極電流放大系數。
52.該電路由一集成運算放大器及多端輸出的雙極晶體管電流鏡構成。
53.達林頓晶體管增益大、可靠性高，尤其在大功率應用中更加簡便。
54.每個晶體管至少有三個電極。
55.然后，在薄膜晶體管面板上的不良像素區域沉積或者印刷不透明物質。
56.本文介紹了晶體管的雪崩原理，通過張弛振蕩器、崩振蕩器、音頻信號發生器和閃光節拍器四個例子介紹了雪崩晶體管的應用。
57.此外，還介紹一個小型通用程序，它能對一些定向耦合器、平衡晶體管放大器以及電調衰減器等進行分析和優化設計。
58.硅互補PNP晶體管。通用輸出和音頻放大器的驅動程序。
59.絕緣柵雙極晶體管。N溝道增強模式，高速開關。
60.場效應晶體管，特別是雙擴散場效應晶體管，及其制造方法。
61.該穩壓系統的關鍵在于控制系統的設計，及開關晶體管的選擇及應用。
62.一般用途低級別的放大器和開關晶體管。
63.逆變器采用絕緣柵雙極晶體管模塊制造。
64.其課題在于，針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，并且不產生短溝道效應。
65.晶體管的一項特別引人注意的應用是在助聽器方面.
66.本文介紹一種分析非晶硅場效應晶體管靜態特性的非模型方法。
67.他在我們學校附近的晶體管收音機廠工作.
68.本文對得到的結論給出了合理解釋，以期未來能以此為依據調整器件結構、改變外電路形式，從而提高晶體管對電磁脈沖耐受性。
69.比如，在1975年，數字電路用的是晶體管綜合線路，但到了1985年，數字電路就變成微處理器設計了。
70.結果表明：在輻照的劑量率范圍內，無論是國產還是進口的雙極晶體管，都有明顯的低劑量率輻照損傷增強現象，且NPN管比PNP管的明顯。
71.利用定時器NE556和程控單結晶體管，設計了一種新型多路脈沖分配器。
72.討論了雙極性晶體管雪崩的工作原理，分析了采用級聯雙極性晶體管結構的超寬帶極窄脈沖發生器的電路。
73.然而，有機場效應晶體管性能的快速進步，主要得益于新型有機半導體材料方面的研究進展。
74.從微波晶體管、場效應管管芯的單向化模型出發,給出了對微波寬帶放大器的不等波紋函數型阻抗匹配網絡綜合方法.
75.光耦，光電晶體管輸出，基地連接。
76.晶體管有三個電極,即發射極,基極和集電極.
77.在半導體收音機中晶體管代替了真空管.
78.新型晶體管的開關時間縮短了三分之二。
79.場效應晶體管以及制造場效應晶體管的方法。
80.日本最大的產業不是造船業，不是珍珠養殖業，亦不是晶體管收音機或攝像機生產業，而是娛樂業。
81.該同步機以FPGA為核心，與集成電路、晶體管分立元件相結合，實現對輸入脈沖觸發轉換、脈沖成形以及驅動輸出，最終產生多路同步觸發信號。
82.其次，對提高有機薄膜晶體管的電學性能的研究。
83.比較了適用于甲類工作和適用丙類工作的微波功率雙極晶體管的差異，并對這些差異提出了物理解釋。
84.本文采用較全面的包括四個寄生雙極晶體管和MOS管的閂鎖模型，詳細分析了瞬態輻照下CMOS反相器的閂鎖效應。
85.在一般的雙極晶體管，帶有電輸入和輸出端口，這定律完全適用。
86.圖爾表示，晶體管必須是純粹的半導體才能傳載信息。
87.它擁有5英寸的屏幕使用了23個硅鍺晶體管。
88.我們必須十分重視晶體管的偏置.
89.隨意地，如果用鍺晶體管取代硅晶體管，可使模塊工作的輸入電壓最小為0.25V。
90.特別地，當一個高功率電磁脈沖突然加載在晶體管上時，會導致晶體管的電擊穿或熱擊穿。
91.本文在對器件的特性進行分析的基礎上，對多輸入浮柵MOS晶體管在電壓型多值邏輯電路中的應用進行了研究。
92.本文討論了復合開關晶體管的基本特性和開關特性，提供了實測數據和應用電路實例。
93.這臺電磁式機器一直使用到1959年，然后就被遺棄在灰塵中，因為到了那個時期，首先使用電子管、接著晶體管、然后集成電路芯片的真正電子計算機先后問世。
94.硅互補PNP晶體管。音頻放大器和驅動器。
95.這FET晶體管，這里用作可變電阻的電路IC2的反應的一部分。
96.另外，最近有其他研究人員研制出了紙基晶體管，米若因博士的可為帶有這種晶體管的裝置配電。
97.這種電路的每一支路中的元件，除一般電路元件外，還可能包括功率開關晶體管、二極管或隔離變壓器的一個繞組。
98.一種其工作取決于固體材料中電或磁現象控制情況的元件，例如晶體管、晶體二極管和鐵氧體磁芯等。
99.本文提出了高壓低飽和壓降GTR的最佳設計方法。分析表明，高壓低飽和壓降晶體管采用集電區穿通性設計比非穿通性設計有利。
100.一種互補式金氧半導體影像傳感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔離層，以將基底區隔為光二極管感測區以及晶體管元件區。
※ "晶體管"造句CNDU漢語詞典查詞提供。