1.光激螢光分析可快速又可靠的得到材料中之能階結(jié)構(gòu)以及載子躍遷行為,是一個有力又無破壞的分析技術(shù)。
2.本論文中,我們主要研究單軸應(yīng)變技術(shù)對奈米尺寸之互補式金氧半場效電晶體及雙載子電晶體特性之影響。
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